技术细节

• 包装/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 安装类型 Surface Mount
• 配置 2 N-Channel
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 功率 - 最大 2W (Tc)
• 漏源电压 (Vdss) 55V
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.7A (Tc)
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 740pF @ 25V
• Rds On（最大）@Id、Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 36nC @ 10V
• 场效应管特性 Logic Level Gate
• Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA
• 供应商设备包 PG-DSO-8-902