技术细节

• 包装/箱 14-PowerLDFN
• 安装类型 Surface Mount
• 配置 2 P-Channel (Half Bridge)
• 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
• 漏源电压 (Vdss) 750V
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9A (Tj)
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 53.5pF @ 400V
• Rds On（最大）@Id、Vgs 250mOhm @ 2A, 6V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 1.9nC @ 6V
• Vgs(th)（最大值）@Id 1.75V @ 10mA
• 供应商设备包 14-PQFN (6x8)