技术细节

• 包装/箱 9-PowerSMD
• 安装类型 Surface Mount
• 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 功率 - 最大 424W (Tc)
• 漏源电压 (Vdss) 650V
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 53A (Tc)
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 3344pF @ 100V
• Rds On（最大）@Id、Vgs 64mOhm @ 23A, 10V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 80nC @ 10V
• Vgs(th)（最大值）@Id 4.75V @ 250µA
• 供应商设备包 9-ACEPACK SMIT