库存:1522

技术细节

  • 包装/箱 5-SMD, No Lead
  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 80A (Tc)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 6mOhm @ 40A, 5V
  • Vgs(th)(最大值)@Id 2.5V @ 12mA
  • 供应商设备包 5-SMD
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 5V
  • Vgs(最大) +6V, -4V
  • 漏源电压 (Vdss) 100 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 11.7 nC @ 5 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1240 pF @ 50 V

相关产品


GAN FET HEMT 100V 74A COTS 4UD

库存: 100

GAN FET HEMT 40V 80A COTS 4UD

库存: 100

Top