- 产品型号 FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE
- 分类 FET、MOSFET 阵列
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库存:1518
技术细节
- 安装类型 Module
- 匝数 Chassis Mount
- 速度 2 N-Channel
- 扭矩 - 螺丝 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 Silicon Carbide (SiC)
- 内部接触面处理 1200V (1.2kV)
- 外部接触面镀层厚度 200A (Tj)
- 深度 14700pF @ 800V
- 25°C时的电阻值 5.63mOhm @ 200A, 15V
- 三端双向可控硅开关类型 496nC @ 15V
- 势垒类型 5.55V @ 80mA
- 最大交流电压 Module
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