- 产品型号 TW083Z65C,S1F
- 品牌 Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- 描述 G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:1588
技术细节
- 安装类型 TO-247-4
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 175°C
- 功能 - 照明 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 30A (Tc)
- 25°C时的电阻值 118mOhm @ 15A, 18V
- 套圈材料 111W (Tc)
- 势垒类型 5V @ 600µA
- 最大交流电压 TO-247-4L(X)
- 皮带长度 18V
- 步进数量 +25V, -10V
- 650 V
- 28 nC @ 18 V
- 873 pF @ 400 V
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