- 产品型号 NVBG070N120M3S
- 品牌 Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- 描述 SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:2222
技术细节
- 安装类型 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 36A (Tc)
- 25°C时的电阻值 87mOhm @ 15A, 18V
- 套圈材料 172W (Tc)
- 势垒类型 4.4V @ 7mA
- 最大交流电压 D2PAK-7
- 直径 - 肩部 Automotive
- 皮带长度 18V
- 步进数量 +22V, -10V
- 1200 V
- 57 nC @ 18 V
- 1230 pF @ 800 V
- AEC-Q101