- 产品型号 S2M0120120K
- 品牌 SMC Diode Solutions
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:1800
技术细节
- 安装类型 TO-247-4
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 21A (Tc)
- 25°C时的电阻值 150mOhm @ 13.3A, 20V
- 套圈材料 156W (Tc)
- 势垒类型 4V @ 3.3mA
- 最大交流电压 TO-247-4
- 皮带长度 20V
- 步进数量 +20V, -5V
- 1200 V
- 29.6 nC @ 20 V
- 652 pF @ 1000 V