技术细节

• 安装类型 Module
• 匝数 Chassis Mount
• 速度 2 N-Channel (Half Bridge)
• 扭矩 - 螺丝 -40°C ~ 175°C (TJ)
• 功能 - 照明 Silicon Carbide (SiC)
• 内部接触面处理 1200V (1.2kV)
• 外部接触面镀层厚度 190A (Tc)
• 深度 24200pF @ 800V
• 25°C时的电阻值 4.44mOhm @ 280A, 18V
• 三端双向可控硅开关类型 800nC @ 18V
• 势垒类型 5.1V @ 112mA
• 最大交流电压 AG-62MMHB