- 产品型号 G180C06Y
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
- 分类 FET、MOSFET 阵列
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库存:3658
技术细节
- 包装/箱 TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
- 安装类型 Surface Mount
- 配置 N and P-Channel, Common Drain
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 功率 - 最大 69W (Tc), 115W (Tc)
- 漏源电压 (Vdss) 60V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 50A (Tc), 60A (Tc)
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
- Rds On(最大)@Id、Vgs 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
- Vgs(th)(最大值)@Id 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
- 供应商设备包 TO-252-4